摘要：多晶硅（polycrystalline silicon）是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是太陽(yáng)能電池與半導(dǎo)體設(shè)備的主要原材料。根據(jù)硅純度，多晶硅可分為太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（純度6個(gè)9或以上）與電子級(jí)多晶硅（純度11個(gè)9或以上
多晶硅（polycrystalline silicon）是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。它有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時(shí)顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。
多晶硅是太陽(yáng)能電池與半導(dǎo)體設(shè)備的主要原材料。根據(jù)硅純度，多晶硅可分為太陽(yáng)能級(jí)多晶硅（純度6個(gè)9或以上）與電子級(jí)多晶硅（純度11個(gè)9或以上）。
